SIA517DJ-T1-GE3
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 12/-12V; 6,5W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SIA517DJ-T1-GE3
Référence TME:
SIA517DJ-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N/P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 12/-12V | |
Courant du drain | 4,5/-4,5A | |
Puissance de dissipation | 6,5W | |
Boîtier | PowerPAK® SC70 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 170/65mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 20/15nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.026 g
Certificates
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* SIA517DJ-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
2154 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.91 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.91 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.66 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.66 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.47 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.47 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.40 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.40 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.29 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.29 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.28 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.28 USD
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs