SIA537EDJ-T1-GE3
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 12/-20V; 7,8W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SIA537EDJ-T1-GE3
Référence TME:
SIA537EDJ-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N/P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 12/-20V | |
Courant du drain | 4,5/-4,5A | |
Puissance de dissipation | 7,8W | |
Boîtier | PowerPAK® SC70 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 165/104mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 25/16nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* SIA537EDJ-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.28 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.28 USD