SIHF5N50D-E3
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 3,4A; Idm: 10A; 28,8W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SIHF5N50D-E3
Référence TME:
SIHF5N50D-E3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 500V | |
Courant du drain | 3,4A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 10A | |
Puissance de dissipation | 28,8W | |
Boîtier | TO220FP | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Résistance en état de conduction | 1,5Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 20nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut2 g
Certificates
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* SIHF5N50D-E3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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