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SIHFBC20L-GE3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 1,4A; Idm: 8A; 50W

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SIHFBC20L-GE3
Référence TME:
SIHFBC20L-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
1,4A
Courant du drain dans l'impulsion
8A
Puissance de dissipation
50W
Boîtier
I2PAK, TO262
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
4,4Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
18nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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SIHFBC20L-GE3
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