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SIHFBF20STRL-GE3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 900V; 1,1A; Idm: 6,8A; 54W


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SIHFBF20STRL-GE3
Référence TME:
SIHFBF20STRL-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
900V
Courant du drain
1,1A
Courant du drain dans l'impulsion
6,8A
Puissance de dissipation
54W
Boîtier
D2PAK, TO263
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
Montage
SMD
Charge d'entrée
38nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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SIHFBF20STRL-GE3
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