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SIHP14N50D-GE3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 9A; 208W; TO220AB

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SIHP14N50D-GE3
Référence TME:
SIHP14N50D-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
500V
Courant du drain
9A
Puissance de dissipation
208W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,4Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
58nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.9 g
Certificates
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SIHP14N50D-GE3
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