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SIHP14N60E-GE3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; TO220AB

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SIHP14N60E-GE3
Référence TME:
SIHP14N60E-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
8A
Courant du drain dans l'impulsion
32A
Puissance de dissipation
147W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
309mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
64nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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SIHP14N60E-GE3
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