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SIHP186N60EF-GE3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SIHP186N60EF-GE3
Référence TME:
SIHP186N60EF-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
12A
Courant du drain dans l'impulsion
43A
Puissance de dissipation
156W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
193mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
32nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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SIHP186N60EF-GE3
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