SIRB40DP-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 40A; 29,6W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SIRB40DP-T1-GE3
Référence TME:
SIRB40DP-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 40V | |
Courant du drain | 40A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 100A | |
Puissance de dissipation | 29,6W | |
Boîtier | PowerPAK® SO8 | |
Tension entrée-source | -16...20V | |
Résistance en état de conduction | 4,2mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 93nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut1 g
Certificates
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* SIRB40DP-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.09 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.09 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.41 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.41 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.03 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.03 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.86 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.86 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.81 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.81 USD
Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.80 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.80 USD