SIS990DN-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 100V; 9,7A; 16W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SIS990DN-T1-GE3
Référence TME:
SIS990DN-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 100V | |
Courant du drain | 9,7A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 20A | |
Puissance de dissipation | 16W | |
Boîtier | PowerPAK® 1212-8 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 0,105Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 8nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut1 g
Certificates
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* SIS990DN-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.41 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.41 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.89 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.89 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.60 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.60 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.47 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.47 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.46 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.46 USD