SISB46DN-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 27,3A; 14,8W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SISB46DN-T1-GE3
Référence TME:
SISB46DN-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 40V | |
Courant du drain | 27,3A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 70A | |
Puissance de dissipation | 14,8W | |
Boîtier | PowerPAK® 1212-8 | |
Tension entrée-source | -16...20V | |
Résistance en état de conduction | 15,8mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 22nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut1 g
Certificates
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* SISB46DN-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.29 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.29 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.81 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.81 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.52 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.52 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.49 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.49 USD