SISF02DN-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 25V; 60A; 44,4W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SISF02DN-T1-GE3
Référence TME:
SISF02DN-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 25V | |
Courant du drain | 60A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 140A | |
Puissance de dissipation | 44,4W | |
Boîtier | PowerPAK® 1212-8 | |
Tension entrée-source | -12...16V | |
Résistance en état de conduction | 5,6mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 56nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut1 g
Certificates
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* SISF02DN-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.06 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.06 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.44 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.44 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 1.05 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.05 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.94 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.94 USD
Prix net pour les quantités de 125 pcs - 0.92 USDPrix brut pour les quantités de 125 pcs - 0.92 USD
Prix net pour les quantités de 250 pcs - 0.90 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 0.90 USD