SISF04DN-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 30V; 86A; 44,4W
NOUVEAUTÉ
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SISF04DN-T1-GE3
Référence TME:
SISF04DN-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30V | |
Courant du drain | 86A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 190A | |
Puissance de dissipation | 44,4W | |
Boîtier | PowerPAK® 1212-8 | |
Tension entrée-source | -12...16V | |
Résistance en état de conduction | 6mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 60nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Construction de semi-conducteur | drain commun |
Poids brut0.095 g
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* SISF04DN-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 6000 pcs - 0.74 USDPrix brut pour les quantités de 6000 pcs - 0.74 USD