SISF06DN-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 30V; 81A; 44,4W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SISF06DN-T1-GE3
Référence TME:
SISF06DN-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30V | |
Courant du drain | 81A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 190A | |
Puissance de dissipation | 44,4W | |
Boîtier | PowerPAK® 1212-8 | |
Tension entrée-source | -16...20V | |
Résistance en état de conduction | 6,95mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 45nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut1 g
Certificates
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* SISF06DN-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.03 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.03 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.27 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.27 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.97 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.97 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.72 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.72 USD
Prix net pour les quantités de 200 pcs - 0.71 USDPrix brut pour les quantités de 200 pcs - 0.71 USD