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SKM100GB125DN

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV

Fabricant: SEMIKRON DANFOSS

Marque du fabricant:
SKM100GB125DN

Désignations alternatives: 21915390

Référence TME:
SKM100GB125DN

Spécification

Fabricant
SEMIKRON DANFOSS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
80A
Boîtier
SEMITRANS2N
Version
D93
Utilisation
onduleur, photovoltaïque, pour UPS
Montage électrique
FASTON connecteurs, vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage mécanique
vissés
Poids brut161.08 g
Certificates

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SKM100GB125DN
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