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SP8K80TB1

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 500mA; Idm: 2A; 2W; SOP8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SP8K80TB1
Référence TME:
SP8K80TB1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
500V
Courant du drain
0,5A
Courant du drain dans l'impulsion
2A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SOP8
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
11,7Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
3,8nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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SP8K80TB1
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