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STB100N10F7

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolaire; 100V; 70A; 150W

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STB100N10F7
Référence TME:
STB100N10F7

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
STripFET™ F7
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
70A
Courant du drain dans l'impulsion
320A
Puissance de dissipation
150W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
8mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
61nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates
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STB100N10F7
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Prix net pour les quantités de 25 pcs - 1.88 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 1.88 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 1.67 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.67 USD
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