STB120N4F6
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STB120N4F6
Référence TME:
STB120N4F6
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SuperMesh™ | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 40V | |
Courant du drain | 80A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 320A | |
Puissance de dissipation | 110W | |
Boîtier | D2PAK | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 4mΩ | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.025 g
Certificates
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* STB120N4F6Nombre de pièces (Multiplication: 1 000)
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Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 1.10 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 1.10 USD