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STB18N60DM2

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 7,6A; 90W; D2PAK; ESD

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STB18N60DM2
Référence TME:
STB18N60DM2

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SuperMesh™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
7,6A
Puissance de dissipation
90W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±25V
Résistance en état de conduction
0,295Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.025 g
Certificates

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STB18N60DM2
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