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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MDmesh™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	800V
Courant du drain	17A
Puissance de dissipation	190W
Boîtier	D2PAK, TO263
Résistance en état de conduction	0,295Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	70nC
Genre de canal	enrichi

STB18NM80

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 17A; 190W; D2PAK,TO263

Spécification