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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MDmesh™ K5
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	800V
Courant du drain	2,3A
Courant du drain dans l'impulsion	16A
Puissance de dissipation	60W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	1,75Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

STD5N80K5

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolaire; 800V; 2,3A; Idm: 16A

Spécification

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