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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	SuperMesh™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	55V
Courant du drain	56A
Puissance de dissipation	110W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	8,5mΩ
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

STD65N55F3

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 55V; 56A; 110W; DPAK; ESD

Spécification