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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	SuperMesh™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	800V
Courant du drain	3,8A
Puissance de dissipation	110W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	1,2Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

STD7N80K5

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 3,8A; 110W; DPAK; ESD

Spécification