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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MDmesh™ M6
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	15,8A
Courant du drain dans l'impulsion	78A
Puissance de dissipation	35W
Boîtier	TO220FP
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	0,125Ω
Montage	THT
Charge d'entrée	33,4nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STF33N60M6

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolaire; 600V; 15,8A; Idm: 78A

Spécification