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STGB10H60DF

Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGB10H60DF
Référence TME:
STGB10H60DF

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
10A
Puissance de dissipation
115W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
40A
Montage
SMD
Charge d'entrée
57nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1.5 g
Certificates
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STGB10H60DF
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.24 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.24 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.57 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.57 USD
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