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STGB10M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGB10M65DF2
Référence TME:
STGB10M65DF2

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
10A
Puissance de dissipation
115W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
40A
Montage
SMD
Charge d'entrée
28nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1.5 g
Certificates
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STGB10M65DF2
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