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STGB30H65DFB2

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGB30H65DFB2
Référence TME:
STGB30H65DFB2

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
30A
Puissance de dissipation
167W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
90A
Montage
SMD
Charge d'entrée
90nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Poids brut1.5 g
Certificates
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STGB30H65DFB2
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