STGB30M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STGB30M65DF2
Référence TME:
STGB30M65DF2
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | ||
Type de transistor | IGBT | ||
Tensions collecteur-émetteur | 650V | ||
Courant du collecteur | 30A | ||
Puissance de dissipation | 258W | ||
Boîtier | D2PAK | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 120A | ||
Montage | SMD | ||
Charge d'entrée | 80nC | ||
Genre de la emballage | bande, rouleau | ||
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut1.619 g
Certificates
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* STGB30M65DF2Nombre de pièces (Multiplication: 1)
25 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.07 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.07 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 2.47 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 2.47 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.17 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.17 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 1.88 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 1.88 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.78 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.78 USD