STGB30M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STGB30M65DF2
Référence TME:
STGB30M65DF2
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | IGBT | |
Tensions collecteur-émetteur | 650V | |
Courant du collecteur | 30A | |
Puissance de dissipation | 258W | |
Boîtier | D2PAK | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 120A | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 80nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut1.619 g
Certificates
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* STGB30M65DF2Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.08 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.08 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 2.48 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 2.48 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.18 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.18 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 1.88 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 1.88 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.78 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.78 USD