STGB30V60DF
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; D2PAK
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STGB30V60DF
Référence TME:
STGB30V60DF
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | ||
Type de transistor | IGBT | ||
Tensions collecteur-émetteur | 600V | ||
Courant du collecteur | 30A | ||
Puissance de dissipation | 258W | ||
Boîtier | D2PAK | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 120A | ||
Montage | SMD | ||
Charge d'entrée | 163nC | ||
Genre de la emballage | bande, rouleau | ||
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut0.025 g
Certificates
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* STGB30V60DFNombre de pièces (Multiplication: 1 000)
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Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 1.48 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 1.48 USD