STGB50H65FB2
Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STGB50H65FB2
Référence TME:
STGB50H65FB2
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | ||
Type de transistor | IGBT | ||
Tensions collecteur-émetteur | 650V | ||
Courant du collecteur | 53A | ||
Puissance de dissipation | 272W | ||
Boîtier | D2PAK | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 150A | ||
Montage | SMD | ||
Charge d'entrée | 151nC | ||
Genre de la emballage | bande, rouleau |
Poids brut1.5 g
Certificates
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* STGB50H65FB2Nombre de pièces (Multiplication: 1 000)
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Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 1.50 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 1.50 USD