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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	IGBT
Tensions collecteur-émetteur	600V
Courant du collecteur	4A
Puissance de dissipation	75W
Boîtier	DPAK
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	16A
Montage	SMD
Charge d'entrée	35nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	integrated anti-parallel diode

STGD4H60DF

Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK

Spécification