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STGD4M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 4A; 68W; DPAK

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGD4M65DF2
Référence TME:
STGD4M65DF2

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
4A
Puissance de dissipation
68W
Boîtier
DPAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
16A
Montage
SMD
Charge d'entrée
15,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1 g
Certificates
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STGD4M65DF2
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