STGH30H65DFB-2AG
Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STGH30H65DFB-2AG
Référence TME:
STGH30H65DFB-2AG
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | IGBT | |
Tensions collecteur-émetteur | 650V | |
Courant du collecteur | 30A | |
Puissance de dissipation | 260W | |
Boîtier | H2PAK | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 90A | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 155nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut3 g
Certificates
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* STGH30H65DFB-2AGNombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.69 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.69 USD
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