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STGP8M120DF3

Transistor: IGBT; 1,2kV; 8A; 167W; TO220AB

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGP8M120DF3
Référence TME:
STGP8M120DF3

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
8A
Puissance de dissipation
167W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
32A
Montage
THT
Charge d'entrée
32nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut2 g
Certificates
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STGP8M120DF3
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