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STGW30V60DF

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGW30V60DF
Référence TME:
STGW30V60DF

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
30A
Puissance de dissipation
258W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
163nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut4.5 g
Certificates
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STGW30V60DF
388 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.60 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.60 USD
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Prix net pour les quantités de 5 pcs - 3.03 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 3.03 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.71 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.71 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.58 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.58 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs