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STGW40H65DFB-4

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGW40H65DFB-4
Référence TME:
STGW40H65DFB-4

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
283W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
160A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,21µC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
  • integrated anti-parallel diode
  • sortie Kelvin
Poids brut3 g
Certificates
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STGW40H65DFB-4
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)