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STGW75H65DFB2-4

Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGW75H65DFB2-4
Référence TME:
STGW75H65DFB2-4

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
71A
Puissance de dissipation
357W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
225A
Montage
THT
Charge d'entrée
207nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
  • integrated anti-parallel diode
  • sortie Kelvin
Poids brut6.17 g
Certificates
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STGW75H65DFB2-4
36 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 6.38 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 6.38 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs