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STGWA40H65DFB

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGWA40H65DFB
Référence TME:
STGWA40H65DFB

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
283W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
160A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,21µC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut3 g
Certificates
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STGWA40H65DFB
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.78 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.78 USD
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Prix net pour les quantités de 600 pcs - 2.62 USDPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 2.62 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)