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STGWA50H65DFB2

Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGWA50H65DFB2
Référence TME:
STGWA50H65DFB2

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
53A
Puissance de dissipation
272W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
THT
Charge d'entrée
151nC
Genre de la emballage
tube
Poids brut3 g
Certificates
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STGWA50H65DFB2
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