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STGWA75H65DFB2

Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGWA75H65DFB2
Référence TME:
STGWA75H65DFB2

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
75A
Puissance de dissipation
357W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
225A
Montage
THT
Charge d'entrée
207nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.128 g
Certificates
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STGWA75H65DFB2
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 4.96 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 4.96 USD
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Prix net pour les quantités de 30 pcs - 3.24 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 3.24 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs