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STGWT30H60DFB

Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO3P

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGWT30H60DFB
Référence TME:
STGWT30H60DFB

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
30A
Puissance de dissipation
260W
Boîtier
TO3P
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
149nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5 g
Certificates
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STGWT30H60DFB
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