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STGWT40H65DFB

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGWT40H65DFB
Référence TME:
STGWT40H65DFB

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
283W
Boîtier
TO3P
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
160A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,21µC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5.2 g
Certificates
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STGWT40H65DFB
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs