STGYA120M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STGYA120M65DF2
Référence TME:
STGYA120M65DF2
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | ||
Type de transistor | IGBT | ||
Tensions collecteur-émetteur | 650V | ||
Courant du collecteur | 120A | ||
Puissance de dissipation | 625W | ||
Boîtier | MAX247 | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 360A | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 420nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut5 g
Certificates
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* STGYA120M65DF2Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 15.52 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 15.52 USD