STGYA50H120DF2
Transistor: IGBT; 1,2kV; 50A; 535W; MAX247
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STGYA50H120DF2
Référence TME:
STGYA50H120DF2
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | IGBT | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 50A | |
Puissance de dissipation | 535W | |
Boîtier | MAX247 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 0,21µC | |
Genre de la emballage | tube | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut6.89 g
Certificates
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* STGYA50H120DF2Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 7.31 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 7.31 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs