STH30N65DM6-7AG
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolaire; 650V; 18A; Idm: 112A
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STH30N65DM6-7AG
Référence TME:
STH30N65DM6-7AG
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | MDmesh™ DM6 | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 650V | |
Courant du drain | 18A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 112A | |
Puissance de dissipation | 223W | |
Boîtier | H2PAK7 | |
Tension entrée-source | ±25V | |
Résistance en état de conduction | 0,115Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 46nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | sortie Kelvin | |
Utilisation | industrie automobile |
Poids brut2 g
Certificates
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* STH30N65DM6-7AGNombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 8.02 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 8.02 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 7.64 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 7.64 USD