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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MESH OVERLAY™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	200V
Courant du drain	9,45A
Puissance de dissipation	90W
Boîtier	TO220-3
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,16Ω
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STP19NF20

Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolaire; 200V; 9,45A; 90W

Spécification