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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	FDmesh™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	500V
Courant du drain	14A
Courant du drain dans l'impulsion	80A
Puissance de dissipation	192W
Boîtier	TO220-3
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,25Ω
Montage	THT
Charge d'entrée	53nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STP20NM50FD

Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolaire; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W

Spécification