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STP310N10F7

Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolaire; 100V; 120A; 315W

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STP310N10F7
Référence TME:
STP310N10F7

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
120A
Puissance de dissipation
315W
Boîtier
TO220-3
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
2,7mΩ
Montage
THT
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2.015 g
Certificates
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STP310N10F7
10 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 5.12 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 5.12 USD
Prix net pour les quantités de 2 pcs - 4.84 USDPrix brut pour les quantités de 2 pcs - 4.84 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs