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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	STripFET™ F7
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	120A
Courant du drain dans l'impulsion	720A
Puissance de dissipation	315W
Boîtier	TO220-3
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	2,7mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	180nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STP315N10F7

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolaire; 100V; 120A; 315W

Spécification