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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	STripFET™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	250V
Courant du drain	28A
Courant du drain dans l'impulsion	180A
Puissance de dissipation	160W
Boîtier	TO220-3
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	69mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	68,2nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STP50NF25

Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolaire; 250V; 28A; Idm: 180A

Spécification